[21a-A406-1~8] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[21a-A406-7] 金属/多結晶Ge界面におけるフェルミレベルピニングの緩和とショットキー障壁制御

〇(M2)高山 智成¹、茂藤 健太^1,2、都甲 薫³、王 冬¹、山本 圭介¹ (1.九大院 総理工、2.学振特別研究員、3.筑波大院 数理物質)

キーワード：多結晶Ge、ショットキー障壁制御、フェルミレベルピニング