2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.9 化合物太陽電池

[21a-B202-1~11] 13.9 化合物太陽電池

2022年9月21日(水) 09:00 〜 12:00 B202 (B202)

荒木 秀明(長岡高専)

11:45 〜 12:00

[21a-B202-11] 硫黄粉末を用いた硫化法によるCu(In,Ga)S2の作製

〇(M1)柴田 智樹1、鈴木 陽太1、西村 昂人1、山田 明1 (1.東工大工)

キーワード:Cu(In,Ga)S2、薄膜、銅欠乏

Cu(In,Ga)S2(CIGS)太陽電池はバンドギャップが約1.5eVであり, 太陽電池の吸収層として理想的である. CIGS太陽電池はCu-richとした場合に有毒なKCNエッチングが必要となる. KCNプロセスを避けるため, 本研究ではCu-poor組成に制御したプリカーサを用いたCIGSの成長過程について調査した.
硫化温度300℃においてはCuが表面側, GaおよびInが裏面側に偏析していた. 硫化温度500℃では表面側にCuInS2, 裏面側にCuGaS2が形成されていることが確認された.