[21a-B202-1~11] 13.9 化合物太陽電池

[21a-B202-5] 大気開放型CVD法を用いた薄膜太陽電池のバッファ層用ZnS膜およびCdZnS膜の作製と評価

〇栗本 祐司¹、小林 大輝¹、金井 綾香²、田中 久仁彦²、荒木 秀明³、岡本 保¹ (1.木更津高専、2.長岡技科大、3.長岡高専)

キーワード：カルコゲナイド太陽電池、バッファ層、硫化亜鉛

CIGS、CdTeおよび、CZTS太陽電池のバッファ層に用いるZnSとCdSを、従来の化学浴堆積法を代替する大気開放型CVD法により作製した。ZnSでは基板温度Tsの400℃から465℃への上昇で、堆積速度は0.88 nm/s から4.5nm/sに、CdSではTsの419℃から465℃への上昇で2.2 nm/s から7.2nm/sに増加した。両膜の堆積速度はTsに対しアレニウス型の変化を示した。X線回折測定より得られたZnSの(002)WZピークの半値幅はTsの低下により増大した。本事実はTsの低下によるZnS膜の結晶性の低下を意味する。