[21a-C101-1~10] 13.8 光物性・発光デバイス

△ [21a-C101-9] フォトルミネッセンス特性を用いたSiドープGaAsNにおける有効質量の評価

〇南 奈津¹、塚崎 貴司¹、藤田 実樹²、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.一関高専)

キーワード：電子の有効質量、SiドープGaAsN、フォトルミネッセンス法

低いN組成のGaAsNは、GaAs基板に格子整合することや室温でのEgが小さくなるバンドギャップボウイングという特性を持つ。そのため、多接合型太陽電池やトンネルダイオードなどのデバイスに応用されている。そこで、本研究では、フォトルミネッセンス測定によりSiドープGaAs及びGaAsNの電子有効質量を評価したので、その結果について報告する。