[21a-C105-1~12] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[21a-C105-4] FinFETを用いた低電圧駆動不揮発性SRAM (NV-SRAM)の設計

〇山崎 修¹、塩津 勇作¹、山本 修一郎¹、菅原 聡¹ (1.東工大未来研)

キーワード：パワーゲーティング、SRAM