[21a-C106-1~10] 12.1 作製・構造制御

[21a-C106-4] 光酸化ナノ多孔質SiO₂膜を用いた薄膜イオンダイオードの作製

〇(M1)熊倉 成水¹、石﨑 裕也^1,2、山本 俊介¹、三ツ石 方也¹ (1.東北大院工、2.立教大理)

キーワード：イオンダイオード、スピンコート、LbL膜

シルセスキオキサンを有するブロック共重合体膜に熱アニール処理を施すことでシリンダー様のミクロ相分離構造を誘起した。次に、UV光照射による光酸化反応により、相分離構造を反映したナノ多孔質(NP)SiO₂薄膜を作製した。得られたNP SiO₂薄膜上に高分子交互吸着膜を積層し、陽極酸化アルミニウム支持基板上に転写することで電荷非対称性を有する薄膜イオンダイオードを作製した。イオンダイオード特性は電流–電圧測定から評価した。