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[21a-C200-11] GaNへのMgイオン注入により形成される結晶欠陥とMg凝集のアクセプタ形成に与える影響
キーワード:GaN、透過型電子顕微鏡
Mgイオン注入によるGaNのp型ドーピングでは、イオン注入後にドーパント活性化のためのアニールが行われ、その条件はドーパントの活性化率に決定的な影響を与える。本研究では、様々な条件で注入後アニール(1300 ℃-1480 ℃, 0. 5 min-90 min)を行い、欠陥の構造解析と、アクセプタや補償センターの濃度の解析を行った。講演では、活性化アニール後に残留する結晶欠陥が、Mgアクセプタ形成に与える影響とそのメカニズムについて考察する。