[21p-A101-1~16] 3.10 フォトニック構造・現象（旧3.11）

△ [21p-A101-3] CMOS 互換プロセスで作製したバレーフォトニック結晶導波路

〇山口 拓人^1,2、吉見 拓展^1,2、関 三好³、大塚 実³、横山 信幸³、太田 泰友⁴、岡野 誠³、岩本 敏^1,2 (1.東大先端研、2.東大生研、3.産総研、4.慶應大)

キーワード：バレーフォトニック結晶、シリコンフォトニクス、トポロジカルフォトニクス

バレーフォトニック結晶導波路は急峻な曲げが存在しても高効率な光伝搬を可能とするため、光集積回路応用に適している。しかしながら、これまでに報告された本導波路構造やそれを用いた光機能デバイスはすべて、電子線リソグラフィによる作製および実証に限られていた。我々は今回、シリコンフォトニクスで用いられるCMOS互換プロセスを用い、光通信波長帯で動作可能なバレーフォトニック結晶導波路を実現した。