[21p-A101-1~16] 3.10 フォトニック構造・現象（旧3.11）

[21p-A101-5] HEATE法によるGaN系メンブレン型トポロジカルフォトニック結晶の作製

〇工藤 大樹¹、米田 幸司¹、高野 大和¹、倉邉 海史¹、菊池 昭彦^1,2,3 (1.上智大理工、2.上智大フォトニクス研究センター、3.上智大半導体研究所)

キーワード：トポロジカルフォトニック結晶

我々はこれまで可視光域におけるGaN系高機能性PhCの開発を目指し、水素雰囲気下でのGaNの熱分解を利用した低損傷エッチング技術である水素雰囲気異方性熱エッチング（HEATE）法の研究を進めてきた。本報告では、垂直性の高いナノホール形成が可能なHEATE条件を見出し、GaN系トポロジカルPhCメンブレンの作製に適用した結果を報告する。