[21p-A105-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[21p-A105-9] InGaP結晶の成長速度とフォトルミネッセンスの相関

〇日野 眞生¹、浅見 明太¹、渡辺 健太郎²、中野 義昭¹、杉山 正和^1,2 (1.東京大学、2.先端研)

キーワード：太陽電池、結晶成長、MOCVD

InGaPは太陽電池に用いられる材料の一つである。InGaP結晶成長においては、オーダリングと呼ばれる現象を抑制し、バンドギャップを高い値でコントロールすることが要求されてきた。速い成長を行いオーダリングを抑制することが結晶作製には良いとされてきたが、発光効率を加味した場合に、オーダリングの発生があっても低速成長の方が太陽電池として性能が高くなることが示唆される結果を得た。