[21p-A106-1~18] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[21p-A106-4] 歪み SiGe/Ge(111)に発生したクラックの TEM 観察

〇田島 滉太¹、山中 淳二¹、有元 圭介¹、原 康祐¹、我妻 勇哉²、澤野 憲太郎² (1.山梨大学、2.東京都市大学)

キーワード：SiGe、Ge(111)

我々はスピンデバイスへの応用も見据え、歪み SiGe/Ge(111)ヘテロ構造に注目し高移動度化の研究を進めている。また、将来のデバイス化のために結晶欠陥評価は重要である。既に表面にクラックが発生する場合があることを報告しているが、今回は、SiGe 膜厚・パターニングの有無等によりクラック深さに変化が生じることが観測され、クラック発生のメカニズム解明につながる結果が得られたので報告する。