[21p-A202-1~12] 3.8 テラヘルツ全般（旧3.9）

△ [21p-A202-7] SOI 微小電気機械システム共振器による室温動作するテラヘルツ検出器の開発

〇江端 一貴¹、飯森 未来¹、諸橋 功²、張 亜¹ (1.農工大工、2.情報通信研究機構)

キーワード：MEMS ボロメータ、SOI、テラヘルツ

広帯域テラヘルツ検出器を実現するためSOI（silicon on insulator）基板によってMEMS共振器を作製した。作製されたSOI MEMS共振器は約17000の高いQ値を示し、周波数変化の敏感な測定を可能にした。周波数応答を測定すると26.5/Wで、GaAs MEMSボロメータに劣らない応答性を示した。よって、SOI基板によるMEMS共振器は高性能THz検出器の有力な候補となり得る。