[21p-A205-1~21] 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス（旧3.15）

△ [21p-A205-13] 極薄InGaAsを用いた高感度・低容量Siスロットハイブリッド導波路受光器の実証

〇赤澤 智熙¹、呉 冬睿¹、隅田 圭¹、関根 尚希¹、岡野 誠²、トープラサートポン カシディット¹、高木 信一¹、竹中 充¹ (1.東大院工、2.産総研)

キーワード：シリコンフォトニクス、受光器

光インターコネクトにおける受光システムの消費電力の削減のため，電気増幅を伴うTIAを用いずに高負荷抵抗で光電流を直接電圧信号に変換する「レシーバレス」方式が提案されている。しかし，十分な出力電圧を保ち，RC帯域を10 GHz以上にするには、PDの容量を1 fFオーダーの低容量にする必要がある。本研究では，極薄InGaAs膜をSiスロット導波路上に貼り合わせたハイブリッド受光器を作製し，高感度かつ低容量動作を実証したので報告する。