[21p-A205-1~21] 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス（旧3.15）

△ [21p-A205-14] 印加磁界極性反転によるCe:YIG装荷非対称MZI形シリコン細線導波路の波長特性シフト動作

〇竹下 樹¹、勝俣 直也¹、沢柳 直希¹、端山 喜紀¹、中津原 克己¹、武田 正行¹ (1.神奈川工科大)

キーワード：光アイソレータ、シリコン導波路、非相反位相効果

光アイソレータの動作に必要な非相反移相効果を評価するために、シリコン細線導波路で構成された非対称MZIを製作し、スパッタリングにより成膜したCe:YIG膜に結晶化プロセスを行った。製作したCe:YIG装荷非対称MZI形シリコン細線導波路を用いて、印加磁界の極性反転による波長特性のシフトが得られたので報告する。