[21p-B201-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21p-B201-15] Mist CVD法を用いたCu₃N成長における安定した原料供給の検討

〇(M1)吉田 将吾¹、山田 魁¹、山口 智広¹、永井 裕己¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹ (1.工学院大学)

キーワード：窒化銅、ミスト化学気相成長

Mist CVD法によるCu₃N成長において溶媒に用いているアンモニア水が成長中に原料溶液中から脱離することで窒化源が不足し膜厚が得られないと考えられる。そのため、本研究では成長を中断しアンモニア水を追加供給して再度結晶成長を行った。その結果、追加供給を行うことで単相Cu₃N薄膜の膜厚増加が確認できた。