[21p-B201-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-B201-2] 2層極性反転AlN横型擬似位相整合チャネル導波路を用いた230 nm遠紫外第二高調波発生

〇本田 啓人¹、正直 花奈子^1,2、上杉 謙次郎^3,4、三宅 秀人²、芹田 和則⁵、村上 博成⁵、斗内 政吉⁵、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工、2.三重大院工、3.三重大共創機構、4.三重大院地域イノベ、5.阪大レーザー研)

キーワード：紫外、窒化物半導体、光デバイス

波長230 nm近傍の遠紫外光源は人体に対し無害な消毒・殺菌用途として需要が高まっている。我々は、非線形光学材料であるAlNやGaNの極性反転積層構造からなる横型擬似位相整合（QPM）波長変換デバイスを提案してきた。スパッタアニール法によってAlN極性反転積層構造の成膜が可能となり、その極性反転AlNを用いてチャネル導波路を作製した。本発表では、その230 nm遠紫外第二高調波発生について報告する。