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[21p-B202-5] 中間層に水酸化マグネシウム薄膜を用いた酸化鉄薄膜太陽電池の作製
キーワード:薄膜、酸化鉄、ヘテロ接合
酸化鉄(Ⅲ) Fe2O3は、2.0~2.2 eVのバンドギャップを持つn型半導体である。本研究室の報告で、酸化鉄に銅を添加してp型に変化した酸化鉄を用いて酸化鉄の薄膜pn接合太陽電池を作製できることが確認されているが、整流性が悪く、開放電圧が小さいことが課題となっている。原因として接合界面が急峻でない可能性が考えられるため、本研究では、pn接合の中間層として水酸化マグネシウムMg(OH)₂の薄膜を用いて素子の性能を改善させることを目的とする。