[21p-B202-1~13] 13.9 化合物太陽電池

[21p-B202-8] 光干渉効果を考慮したシースルー型ペロブスカイト/PbS量子ドット中間バンド太陽電池の逆設計と作製

〇斯波 廣大^1,2、山口 浩一¹、沈 青¹、早瀬 修二¹、岡田 至崇³、曽我部 東馬^1,2,3 (1.電通大基盤理工、2.(株)グリッド、3.東大先端研)

キーワード：中間バンド太陽電池、量子ドット、深層強化学習

従来の太陽光発電システムは、設置できる適地が飽和状態にある。そこで本研究は、先進エネルギーデバイス技術とAI技術を融合し、窓用透明型次世代太陽電池の開発を推進した。具体的には、ペロブスカイト/PbS量子ドット中間バンド太陽電池に着目し、AI強化学習を用いた太陽電池デバイスシミュレーションによる逆設計と、逆設計で得られた構造の作製を同時に進め、逆設計手法の性能向上を目指した。