[21p-B204-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21p-B204-7] 結晶場狭ギャップ半導体Pd酸化物の薄膜作製

〇小塚 裕介¹、藤岡 淳²、佐々木 泰祐¹、只野 央将¹ (1.物材機構、2.筑波大)

キーワード：狭ギャップ半導体、結晶場、Pd酸化物

バンドギャップが負であるトポロジカル半金属は高効率な電荷スピン変換を示すためスピントロニクス材料として注目されている。その多くは合金もしくはカルコゲナイド化合物であり、酸化物ではIr酸化物など数例しかない。本研究ではトポロジカル半金属であると理論的に予測されている(Ca,Sr)Pd₃O₄の薄膜を作製し、その輸送特性を調べた。