[21p-C105-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[21p-C105-4] Pocket構造によるトンネルFETの出力特性改善に関する検討

〇(M1)大西 尚征¹、藤井 陸功¹、遠藤 孔輝¹、呉 研¹、高橋 芳浩¹ (1.日大理工)

キーワード：トンネルFET

TFETのSource-Body界面にPocket領域を形成した構造を適用したところ,nチャネル型において,I_D-V_D立ち上がり特性の改善が確認された.そこで、Pocket構造を適用したpチャネル型TFETについて,デバイスシミュレーションを用いて特性の改善が見込める濃度分布の検討を行った．