[21p-M206-1~9] ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線

[21p-M206-3] SiC MOS反転層移動度の支配的散乱要因に関する考察

〇畠山 哲夫¹、平井 悠久²、染谷 満²、岡本 大¹、岡本 光央²、原田 信介² (1.富山県立大工、2.産総研)

キーワード：シリコンカーバイド、SiC酸化膜界面、移動度

散乱理論に基づく移動度計算と実験の比較により、SiC MOS界面移動度の劣化要因はフォノン散乱及び界面のクーロン散乱ではないことを示した。次に、界面欠陥等による界面分極の変動を界面上の孤立した双極子散乱体でモデル化し、双極子散乱移動度を計算した。計算は、移動度の実効電界依存性を再現した。以上によりSiC MOS界面移動度の主な劣化要因は、高密度のMOS界面双極子であると推定した。