[21p-P12-1~54] 17 ナノカーボン(ポスター)

[21p-P12-26] h-BNに埋め込まれたグラフェンナノネットワークの電子物性

〇(M1)張 卉¹、丸山 実那¹、高 燕林¹、岡田 晋¹ (1.筑波大数理)

キーワード：グラフェン、h-BN、ヘテロ構造

密度汎関数理論を用いて、h-BNに埋め込まれたグラフェンナノネットワークの構造と電子物性の解明をおこなった。計算の結果、[3]trianguleneからなる蜂の巣ネットワークが埋め込まれたh-BN/グラフェンヘテロ構造は、0.5eVの直接バンドギャップを有する半導体となる。また、極めて分散の小さなバンドが価電子帯端と伝導電子帯端に対称に出現し、これらの状態は、CB並びにCN境界に起因することが明らかになった