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[21p-P12-28] グラフェン上の酸素原子の表面拡散および格子欠陥を通した拡散に関する第一原理電子状態計算
キーワード：酸化グラフェン、拡散、第一原理電子状態計算
酸化グラフェンによる抵抗変化型メモリの動作メカニズムにおいてグラフェン上における酸素原子の拡散は重要なプロセスである．本研究ではグラフェン上の酸素原子のV6欠陥を通した拡散について第一原理電子状態計算を用いていくつかの可能性のある拡散経路について活性化障壁を計算したところ欠陥のエッジ終端を水素から酸素による代えることによって4eVから0.4eVまで劇的に減少することが分かったので報告する．