[21p-P12-1~54] 17 ナノカーボン(ポスター)

[21p-P12-42] AlN上多層hBN膜中の欠陥からの室温における単一光子発生

〇(DC)石田 峻之¹、Yang Xu^2,5、王 若曦¹、相原 健人¹、佐久間 芳樹²、池沢 道男¹、天野 浩^3,4,5 (1.筑波大物理、2.物材機構、3.名大未来研、4.名大ARC、5.名大VBL)

キーワード：単一光子源、六方晶窒化ホウ素、低次元半導体

低次元層状材料である六方晶窒化ホウ素(hBN)中の欠陥は室温で高輝度の単一光子発生ができることで注目され，さらに識別不能な光子が生成できる可能性にも期待できる． 現在，様々な方法で得られたhBNについて多くの研究が行われているが，今回，我々はサファイア基板上のAlNの上にMOCVD成長した多層hBNについて，室温における単一光子発生を確認したので報告する．