[21p-P16-1~15] 6.4 薄膜新材料

[21p-P16-12] Ga ベース液体金属合金から転写した Ga 酸化膜の観察と評価

〇前田 直輝¹、永井 慈¹、今井 崇人¹、山本 伸一¹ (1.龍谷大理工)

キーワード：液体金属、GaOx

ガリウム酸化物(Ga2O3)は 5 種類の形を持つ 半導体である。5.0eV 近いバンドギャップを有 しており、高い耐圧性と紫外線選択性により、 パワー電子デバイスや紫外線光電子デバイス 等への応用が期待されている。作製方法として、 エピタキシャル成長方法があるが、高品質な Ga2O3 は成膜の際の成長速度が低いなど問題 点がある。そこで、本研究では共晶 Ga 系合金 を反応溶媒として用いることで、基板上に Ga 酸化膜を転写した。