[22a-A102-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[22a-A102-1] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (4) -欠陥構造緩和-

〇土屋 敏章¹、堀 匡寛¹、小野 行徳¹ (1.静大電研)

キーワード：単一界面欠陥、両性準位、電子捕獲素過程

昨年の第69回応物春季講演会での3件の報告に引き続いて本講演では，単一の両性準位におけるDonorlike準位とAcceptorlike準位への連続的な伝導帯電子捕獲素過程を直接観測し，Donorlike準位が電子を捕獲した直後の欠陥構造緩和過程を含むAcceptorlike準位への電子捕獲過程の観測を行った結果について報告する．