[22a-A307-1~7] 13.9 化合物太陽電池

[22a-A307-6] III-V族化合物太陽電池用オーミック電極の検討

〇(M1)渡邉 康祐¹、石井原 海斗¹、若林 勇太¹、内田 史朗¹ (1.千葉工大)

キーワード：抵抗加熱式真空蒸着機

p-InP基板裏面へのAu/Znオーミックメタルの成膜を実証した。p-InPの表面は、電極金属を蒸着する前にセミコクリーンまたはバッファードフッ酸（BHF）で処理した。抵抗加熱式真空蒸着法により、p-InP基板の表面にAu/Zn金属を蒸着した。その後、350-450℃の温度でアニールを行った。TLM法により接触抵抗を評価した。その結果、BHF処理と450℃のアニールを行った試料で、最も低い接触抵抗3.3×10^-5 Ωcm²が得られた。BHF処理はセミコクリーンよりもAu/Znオーミックメタルの接触抵抗の低減に有効であることがわかった。