[22a-B204-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22a-B204-3] ゲート付きSiCpnダイオードの電気的特性評価

〇阿野 響太郎¹、角嶋 邦之¹、筒井 一生²、若林 整¹、星井 拓也¹、依田 孝^2,3 (1.東工大工、2.東工大IIP、3.ニューフレアテクノロジー)

キーワード：半導体、ゲート付きpnダイオード

従来のSiCpnダイオードでは、製作時に生じる様々な問題から、理想的なダイオード特性を得ることは難しい。そこで周辺電流の測定に用いられるゲート付きダイオードを製作し、ゲート電圧を印加してpn接合の電気的特性を測定したところ、一定のn値抑制効果を得られたので、ここに報告する。