[22a-C101-1~11] CS.5 3.10 フォトニック構造・現象（旧3.11）、3.12 半導体光デバイス（旧3.13）のコードシェア

△ [22a-C101-1] InGaN円偏光素子の実現に向けたSi₃N₄メタサーフェスの設計と作製

〇村田 雄生¹、戸田 晋太郎^3,1、藤原 康文¹、中川 貴¹、市川 修平^1,2 (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.アルバック協働研)

キーワード：メタサーフェス、円偏光

近年、円偏光は量子暗号通信や生体内の3Dイメージングといった分野への応用が期待されているが、単一素子は未だ実用化に至っていない。そこで、我々はメタサーフェスを利用したInGaN 円偏光素子を提案する。本研究では、シミュレーションと実験の双方でInGaN円偏光素子の実現可能性が非常に高いことを見出したため報告する。