[22p-B204-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22p-B204-18] 耐圧1651 V, 整流比3.6×10⁵の全イオン注入法により作製した
ダイヤモンドショットキーバリアダイオード

〇(M1)入江 優雅¹、サハ ニロイチャンドラ¹、関 裕平²、中山 隼¹、金 聖祐³、小山 浩司³、大石 敏之¹、嘉数 誠¹、星野 靖²、中田 穣治² (1.佐賀大院工、2.神奈川大院理、3.アダマンド並木精密宝石(株))

キーワード：イオン注入法、ヘテロエピタキシャルダイヤモンド、ショットキーバリアダイオード

イオン注入は選択的にドーピングできるためドーピング技術として半導体では広く用いられているが、関らによりダイヤでも高い活性化率が得られるようになり、SBDが作製された。本発表では、ヘテロエピタキシャルダイヤモンドを用いて優れたオフ耐圧と整流比を持つSBDを作製したので報告する。