[22p-P02-1~7] 3.8 テラヘルツ全般（旧3.9）

[22p-P02-1] InGaSb/AlInGaSb系THz-QCL構造のMBE成長

〇安田 浩朗¹、関根 徳彦¹、寳迫 巌¹ (1.情報通信研究機構)

キーワード：量子カスケードレーザ

Inセル, Gaセル各1本を備えた一般的なMBE装置では、InGaSbとAlInGaSbの格子整合を実現するのは困難である。今回、第一原理電子状態計算プログラムを用いて格子定数を計算して、In / Ga比が同じで格子整合する条件（格子定数のずれは0.02%以下）を見いだした。この格子整合する系でGaSb基板上にTHz-QCL構造をMBE成長した。