[22p-P14-1~4] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[22p-P14-2] サーファクタントエピタキシー法により形成したSi/CaF₂二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

〇鈴木 優輔¹、伊藤 滉悟¹、齊藤 雅高¹、星野 麻衣子¹、宇佐見 遼也¹、村上 寛太¹、渡辺 正裕¹ (1.東工大工学院)

キーワード：共鳴トンネルダイオード、微分負性抵抗特性

シリコン(Si)/弗化カルシウム(CaF₂)ヘテロ構造は，界面における伝導帯バンド不連続が約2 eVであり，結晶構造が類似で格子定数が近いことからSi基板上に数原子層厚の積層エピタキシャル成長が可能である。この特徴を活かし，室温において大きなpeak-to-valley電流比を有する共鳴トンネルダイオード(RTD)の動作実証を行ってきた。今回，Si量子井戸層をAsドーピングすることによりピーク電流密度が上昇することが示唆された。