[22p-P17-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22p-P17-5] 2段階ウェットエッチング法における陽極酸化n-GaNの高低温ホール効果測定

〇神尾 岳¹、藤岡 洋²、前田 就彦¹ (1.東京工科大工、2.東大生研)

キーワード：窒化ガリウム、陽極酸化

GaN系電子デバイスの低速・低損傷エッチング技術の開発を目的として、電気化学的に通電したn-GaNを通電後にウェットエッチングする2段階エッチング法を2019年に提案した。この方法における通電領域のn-GaNの電気伝導特性を調べたところ通電による陽極酸化によって電気伝導特性の変調が可能であることが分かった。今回、陽極酸化した試料に対し高低温（78~473 K）でのホール効果測定を行い、電気伝導特性の温度依存性について調べた。