[23a-B203-1~11] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

[23a-B203-3] 中性ホウ素化合物を用いた単層カーボンナノチューブのブレンステッド酸ドーピング

〇(M2)浜砂 碧¹、田中 直樹^1,2、藤ヶ谷 剛彦^1,2,3 (1.九大院工、2.九州大学WPI-I2CNER、3.九大分子システムセ)

キーワード：カーボンナノチューブ、ホウ素、キャリアドーピング

ホウ素化合物はホウ素上の空の2p軌道に由来するルイス酸性を有することから、有機半導体のホールドーパントとして作用する。また最近、ホウ素化合物の新たなドープ機構として、中性ホウ素化合物 (tris(pentafluorophenyl)borane (BCF)) に水が配位したBCF-H₂O錯体によるブレンステッド酸ドープ (BAドープ) が報告され、ルイス酸ドープに比べ、高いキャリアドーピング能と大気安定性を示すことが明らかになった。そこで本研究では、SWCNTに対してBCFを用いたBAドープを検討した。