[23a-B204-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-B204-1] GaN表面As化層を介したp型CドープGaAsSbの成長

〇星 拓也¹、吉屋 佑樹¹、杉山 弘樹¹、中島 史人¹ (1.NTT先端集積デバイス研)

キーワード：GaN HEMT、As化、MOCVD