[23a-C101-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[23a-C101-11] Ni/Mg₂SiショットキーダイオードのJ-V, C-V特性の温度依存性

〇千葉 諒¹、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大院)

キーワード：半導体、ショットキー接合

我々は、Mg₂Siを用いた安価かつ低毒性の民生用の短波長赤外線センサの開発を行なっている。これまでにn型Mg₂Si(111)/Auショットキー接合の、J-V特性評価によって、Mg₂Siの電子親和力として4.51[eV]が見積もられている。今回、表面研磨したMg₂Si基板上にNiショットキーダイオードを作製し、J-V特性とC-V特性の温度依存性の評価を行い、CV特性の温度依存性を用いてショットキー障壁高さの解析を行ったので報告する。