[23a-C101-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[23a-C101-12] 表面及び裏面入射型 Mg₂Si フォトダイオードの受光感度の評価

〇中村 陸斗¹、津谷 大樹²、吉田 美沙²、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大院、2.NIMS)

キーワード：マグネシウムシリサイド、フォトダイオード、半導体

安価で汎用普及可能な短波長赤外域の受光素子としてMg₂Si基板上のpn接合型フォトダイオード（PD）が注目されている。本研究では、Mg₂Si-PDの受光感度に影響を与える構造および物性値を明らかにするため、表面入射及び裏面入射型のpn接合PDを試作しバイアス及び温度を変化した場合の受光感度を調査したので報告する。