2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[23a-C101-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2022年9月23日(金) 09:00 〜 12:15 C101 (C101)

鵜殿 治彦(茨城大)、立岡 浩一(静大)

11:00 〜 11:15

[23a-C101-8] Si/β-(Fe1-xRux)Si2/Si積層構造における1.5 µm発光強度の温度依存性

大石 結也1、吉原 怜1、寺井 慶和1 (1.九工大情報工)

キーワード:β-FeSi2、シリサイド半導体

β-FeSi2は光通信波長帯で発光するため,新規光源材料として期待されている.しかし,室温で十分なPL強度が得られていない.そこで,Feの一部をRuで置換し,混晶化による遷移確率の増大を目指している.しかし混晶化は発光特性に悪影響をおよぼす可能性がある.本研究では,β-(Fe1-xRux)Si2試料でPLスペクトルの温度依存性を測定し,Ru添加による非輻射遷移過程の増加の有無について検証した.