[23a-C101-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[23a-C101-9] BaSi₂太陽電池におけるZn_1-xGe_xO_y界面層の堆積条件が及ぼす影響

〇高柳 香織¹、山下 雄大¹、都甲 薫¹、末益 崇¹ (1.筑波大学)

キーワード：シリサイド半導体