[23a-C106-1~8] 12.2 評価・基礎物性

[23a-C106-8] 平面基板上での歪み導入による有機単結晶トランジスタの移動度向上

〇安部 深月¹、古川 友貴¹、山下 侑^1,2、糟谷 直孝¹、熊谷 翔平¹、渡邉 峻一郎^1,3、竹谷 純一^1,2,3 (1.東大院新領域、2.物材機構、3.JST CREST)

キーワード：有機半導体、有機トランジスタ、格子歪み

有機半導体単結晶の電子輸送特性は応力印加に対して巨大な応答性を示し、キャリア移動度が上昇することが知られている。一方で、格子歪みの導入に伴う移動度上昇によって応用デバイスの特性を向上させる研究は行われてこなかった。本研究では電界効果トランジスタにおけるキャリア移動度、および、XRD測定による歪み量の評価を実施しながら、この課題に取り組んだ。