[23a-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[23a-C200-2] InGaNナノピラーアレイへのキラル構造導入と旋光性評価

〇浅井 佑太¹、相川 健喜²、倉邉 海史²、菊池 昭彦^2,3,4、大音 隆男¹ (1.山形大院理工、2.上智大理工、3.上智大フォトニクス研、4.上智大半導体研)

キーワード：InGaN、キラル、ナノ構造