[23a-P06-1~28] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23a-P06-11] ミストCVD法によるInドープMgZnO薄膜の成長

〇松田 真樹¹、小川 広太郎²、太田 優一³、山口 智広¹、金子 健太郎⁴、藤田 静雄⁴、本田 徹¹、尾沼 猛儀¹ (1.工学院大学、2.オーク製作所、3.都産技研、4.京大院工)

キーワード：酸化マグネシウム亜鉛、ミストCVD、ドーピング

MgOを起点とする岩塩構造のMgZnO (RS-MgZnO)はバンドギャップが大きく，深紫外，真空紫外域の半導体発光材料として注目されている．n型伝導性制御を目的として，ミストCVD法によりInドープRS-MgZnOの成膜を行った．