[23a-P06-1~28] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23a-P06-28] IGZOおよびGTO-ReRAMにおけるフォーミング時の特性変化測定

〇宮戸 祐治¹、廣瀬 尊之¹、片桐 徹也¹、三上 創太¹、小林 圭²、木村 睦¹ (1.龍谷大先端理工、2.京大院工)

キーワード：抵抗変化型メモリ、IGZO、原子間力顕微鏡

我々のIGZOおよびGTO-ReRAMでは、フォーミング後において上部電極の形状が部分的に変化することが観察されている。この原因を調べるため、AFMを用いてデバイスの酸化物薄膜に対し局所的なバイアス印加を行い、形状変化と抵抗変化の相関を調べた。その結果、どちらのReRAMにおいても、AFM探針によるバイアス印加部を中心としてクレーター状の形状変化が生じ、中心部が窪み周囲が盛り上がった。主に周囲の盛り上がった部分で抵抗が低下することがわかった。