[23a-P06-1~28] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23a-P06-9] スパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長（Ⅴ）

〇木村 日向¹、三澤 亮太¹、吉田 圭佑¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：スパッタ、ZnO、酸化亜鉛

我々は，UHVスパッタエピタキシー法を用いてオフ角の異なるサファイア基板上にZnO層の成長を行ってきた．α-Al₂O₃(0001)基板（オフ角：0.2 º，0.02 º ）上に成長したZnO層のXRDパターンから，オフ角が0.2 ºにおいて優れた結晶性を有していることが解った．しかし，p型の伝導性を有したZnO層の実現には至っていない．そこで，Nドープによるp型化を目的に，反応ガスのArにN₂を添加させてZnO層の成長を行ったのでその結果について検討した．