[23p-A202-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

△ [23p-A202-4] 超高濃度窒素ドープCVDダイヤモンドに作製したNVアンサンブルのスピン特性評価

〇淺野 雄大¹、上田 真由¹、早坂 京祐¹、金久 京太郎¹、蔭浦 泰資^1,3、谷井 孝至¹、小野田 忍²、榎本 心平⁴、河野 省三⁴、川原田 洋^1,4 (1.早大、2.量研、3.NIMS、4.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、NVセンター

ダイヤモンド中の NV アンサンブルは、磁気センシングへの応用が期待されている。本研究ではCVD法により高濃度窒素ドープダイヤモンドを作製し、窒素濃度 8×10²⁰ cm^-3 を得た。さらに、透過型電子顕微鏡を用いて電子照射を行うことで高密度な NV アンサンブルを作製しスピン特性を調査した。作製したサンプルはHPHTダイヤモンドに匹敵するNVセンター密度を得られ、T₂は0.5μsほどであった。濃度を考慮すると非常に高い値である。