2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[23p-A202-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

2022年9月23日(金) 13:00 〜 17:00 A202 (A202)

小野田 忍(量研機構)、酒井 忠司(東工大)、䕃浦 泰資(産総研)

14:15 〜 14:30

[23p-A202-6] アンサンブルNV-センターのデコヒーレンス源の探索

真栄 力1、増山 雄太2、宮川 仁1、阿部 浩之2、石井 秀弥2、佐伯 誠一2、小野田 忍2、谷口 尚1、大島 武2、寺地 徳之1 (1.物材機構、2.量研)

キーワード:ダイヤモンド、NVセンター、スピンスピン緩和時間

室温で長いスピン寿命を有するNV-センターは次世代磁気センサーとして期待される。特にスピン寿命:T2は磁気感度を決める重要パラメーターであり、T2の延伸が必須である。この課題のために、NV-センターのT2を律速するデコヒーレンス源の構成要素を調べた。本研究では、NV-スピンと磁気双極子相互作用を介するデコヒーレンス源:スピンバスに着目した。最初に電子線照射+アニール処理によってppmオーダーのNVセンターを形成し、T2を複数のダイヤモンドサンプルで評価した。T2と[NPM]( =[NV-]+[NV0]+[Ns0])との反比例関係から、T2はNV-センター自身、中性状態のNVセンター(NV0)、置換窒素(Ns0)の3種類のスピンバスによって律速することが分かった。