[23p-B203-1~13] 17.3 層状物質

[23p-B203-4] 3R-TaSe₂を用いた磁性 vdW ヘテロ構造の作製とスピン物性の開拓

〇(M1)遠藤 幹大¹、松岡 秀樹²、武藏 摩紀¹、岩佐 義宏^1,2、中野 匡規^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

キーワード：二次元物質、分子線エピタキシー法

遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）を薄くした二次元TMDCにおいては格子不整合が大きな物質同士でも良質なヘテロ界面を作製することが可能である。我々はこれまでに分子線エピタキシー法による二次元TMDCやそのヘテロ構造の作製に取り組み、それらの物性開拓を行ってきた。本講演では、超伝導体である3R-TaSe₂と様々な二次元磁性体のヘテロ構造を作製し、界面における特異な磁気近接効果やスピン流注入効果などの観測を試みた結果について報告する。