[23p-B203-1~13] 17.3 層状物質

[23p-B203-5] 4層WSe₂のサブバンド間共鳴トンネルにおけるツイスト角度依存性

〇木下 圭¹、守谷 頼¹、岡崎 尚太²、張 奕勁¹、増渕 覚¹、渡邊 賢司³、谷口 尚^3,1、笹川 崇男²、町田 友樹^1,4 (1.東大生研、2.東工大フロンティア研、3.物材機構、4.CREST-JST)

キーワード：共鳴トンネル、TMD、ツイスト

本研究では、4層WSe₂/数層h-BN/4層WSe₂のトンネル接合で、WSe₂間のツイスト角度が0・30・60度のデバイスのI-V特性を比較した。
WSe₂にホールを蓄積させてI-V特性を測定すると複数の共鳴トンネルピークが現れ、ピーク位置にツイスト角度依存性は無かった。一方、WSe₂に電子を蓄積させた場合、ツイスト角度によって共鳴ピークの位置は大きく異なっていた。これは、電子側のサブバンドがQ点（Γ点とK点の間）にあることに起因すると考えられる。