[23p-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [23p-C200-4] GaInN/GaN量子殻LEDの発光面制御

〇(M1)稲葉 颯磨¹、Lu Weifang²、勝呂 紗衣¹、中山 奈々美¹、島 綾香¹、神野 幸美¹、山村 志織¹、伊井 詩織¹、高橋 美月¹、山中 優貴¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大学、2.廈門大学)

キーワード：半導体、窒化物、ナノワイヤ

量子殻LEDは非極性(1-100)面及び半極性 (1-101)面の活性層を用いることでピエゾ電界を0または極性(0001)面の1/3に低減することができるため、発光効率向上が期待されている。本研究では(1-100)面・(1-101)面の発光制御を目的とし、p-GaNの成長時間及びITOの成膜時間がデバイスに与える影響を調査した。p-GaNの成長時間を短くすることで光出力は1.2倍向上した。