[23p-C206-1~12] 3.5 超高速・高強度レーザー（旧3.6）

[23p-C206-9] コヒーレントフォノンを利用したヘテロ界面のキャリアダイナミクス信号分離

〇石岡 邦江¹、Angerhofer E.²、Stanton C.J.²、Mette G.³、Volz K.³、Stolz W.³、Hoefer U.³ (1.物材機構、2.フロリダ大、3.マーブルク大)

キーワード：時間分解分光、フォノン、半導体

GaP/Si(001)界面について、近赤外光パルスを用いて過渡反射率測定を行った。過渡信号上のSi LOフォノンの振幅はGaP膜厚とともに振動的挙動を示し、これは界面で反射されたプローブ光間の干渉として定量的に説明される。この知識に基づき、キャリア由来の過渡信号を基板成分と界面成分に分離することができる。こうして得られた界面のキャリアダイナミクスは、GaP膜厚に依存することが示された。